2011학년도 2학기 [ 반도체디바이스공학(영강) ] 강의계획안

 

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수업정보
시간/강의실 화(1) 목(1)
학점 3 학수번호(분반) KEEE344 ( 02 )
이수구분 전공선택 설계비중 20%
강의담당자
담당교수사진
담당교수
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연구실호실 연락처
면담시간
조교정보
성명 소속
E-mail
연구실 연락처

수업운영

수업방법
수업유형 대면 비대면 병행(대면&비대면 동시)
활동유형 강의 발표 토론 실험 실습
협동학습 개별지도 집단지도 퀴즈 Q&A
출석확인자율화 예   아니오
무감독시험 예   아니오
평가방법
수시과제 및 퀴즈 30 점
중간과제 30 점
기말과제 30 점
참여도 및 풀석 10 점
합계 100 점
평가점수 공개여부 비공개

공학교육인증 평가항목 설정
ABEEK 평가항목 관련도
강의내용 평가방법
학습계획
과목개요
This class covers the working principles of various semiconductor devices, effects of process/design parameters on the design of semiconductor devices and IC. Also, some basic physical theroies for improving semiconductor devices areintriduced in this class.
학과(program)목표와 교과목(course)목표와의 연관성
학과목표 교과목목표
No data.

학습목표
To understand the basic working principles of bipolar transistor and metal-oxide-semiconductor (MOS) trsnsistor among various semiconductor device, to get analytical knowledge for analyzing the design parameters of IC design/fabrication, and to get understand the basic working principle and applications of power device, photonic device and microwave devices.
설계목표
To be announced

추천 선수과목 및 수강요건
Principles of ELectrical and Electronic Materials, Electrical Circuits, Electronic Circuits, Semiconductor Devices and Physics,

수업자료(교재)
Fundamentals of Semiconductor Devices by Betty Anderson and Richard Anderosn McGraw-Hill 2005

지정도서 및 참고문헌
과제물
Approximately one homework per one or two weeks will be given.
주별학습내용
주 기간 회차 학습내용 교재 활동 및
설계내용
1 08.29 - 09.04 1 Introduction, Reviews of Semidonductor Phydics Ch 1-4
2 09.05 - 09.11 1 Reviews od PN Junction Ch.5-6
3 09.12 - 09.18 1 MOSFETs (Qualitative Analysis) 7.1-7.2
4 09.19 - 09.25 1 MOSFETs (Qualitative Analysis) 7.3=7.4
5 09.26 - 10.02 1 Threshold Voltage and Low-Field Mobility, Subthreshold Leakage Current 8.1-8.3
6 10.03 - 10.09 1 CMOS, Switching in CMOS nverter Circuits 8.4-8.5
7 10.10 - 10.16 1 MOSFET Equivalent Circuit, fT Midterm Exam 8.6-8.7
8 10.17 - 10.23 1 Chort Channel Effects, MOSFET Scaling, ,SOI, Other FETs 8.8-8.10 Mid-term Exam
9 10.24 - 10.30 1 BJT Output Characteristics (Quantitative), Current Gain 9.1-9.3
10 10.31 - 11.06 1 Model of a Prototype BJT, Doping Gradient in BJTs 9.4-9.5
11 11.07 - 11.13 1 Basic Ebers-Moll DC Model, Current Crowding and Base Resistance 9.6-9,8
12 11.14 - 11.20 1 Early Effect, Avalanche Breakdown, HIgh Injection, Base Push-out, Recombination in E-B Junction 9.8-9.12
13 11.21 - 11.27 1 Ebers-Mall AC Model, Small-Signal Equivalent Circuits 10.1-10.3
14 11.28 - 12.04 1 Optoeelcric Devices 11.1-11.4
15 12.05 - 12.11 1 Review and Final Exam
16 12.12 - 12.18 1 Power Devices(Power Diodes, Power MOSFET, IGBT, Thyristor) 14.1-14.4 Final Exam
기타 (설계관련사항 포함)
Approximately one homework per week will be assigned.
설계계획
▶ 첨부파일
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  * 첨부파일이 직접 열리도록 하려면 [제어판]->[폴더옵션]->[파일형식]에서 해당파일 확장자를 등록하고
    연결프로그램을 등록하십시오.
  * PC에 설치되어 있는 프로그램보다 상위버전에서 작성된 파일인 경우 열리지 않을 수 있습니다.
첨부된 파일이 존재하지 않습니다.
장애학생조정사항
장애학생은 강의 수강 시 조정(강의자료 사전 제공, 과제 및 평가 조정, 과제 제출기간 연장, 시험시간 연장 등)을 원할 경우 개강 전 담당 교수님께 위와 같은 사항에 대한 사전 상담을 요청해 주시기 바랍니다.
- 교원 가이드북 : http://ibook.korea.ac.kr/Viewer/kuprofessors